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“UV LED灯”新的制造技术---纳米

美国国度规范技术局(NIST)的科学家们经过和Maryland大学以及Howard大学协作,创造了一种制造微小、高效率发光二极管(LED)的技术。

该LED发出的是紫外线光,这关于很多纳米技术包括数据存储都十分重要。而且装配过程也十分适于未来投入商业化消费。

这些纳米级别的设备关于下一代高密度低成本科技(包括传感器和光通讯等)而言是不可缺少的。而UV LED灯关于数据存储和生物传感十分关键。由氮化铝、氮化镓、氮化铟等半导体构成的纳米线是制造这种LED的理想资料,但是NIST科学家Abhishek Motayed说:“目前LED运用的是单个制造技术,十分不适于推行到商业化消费。”

因而NIST小组运用了批量消费技术,例如湿蚀刻、金属堆积等。并且研究小组应用了电场来排列纳米线来完成这一精细又耗时的任务。

新型LED的最大特性是:它们由单一成分氮化镓构成。每个LED包含p型氮化镓薄膜和其上的n型纳米线。因而,由相同成分构成的p-n结相比成分不同的LED具有更高的效率,而且耗电量更低。当在p-n结上施加了适宜的电压时,它就会发出峰值为365纳米的光,其发光范围属于紫外线区域。研究小组制造并测试了超过40个这种LED灯,每个都显现出了类的发光性能。同时新型LED灯还具有良好的热稳定性,在室温下连续运作2小时效率也没有降低。科学家们表示,他们的这一技术还能用于制造其它的纳米构造。